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Serviços

Para mais informações sobre serviços oferecidos pela CEITEC S.A, por favor envie um e-mail para negocios@ceitec-sa.com

A área fabril da CEITEC possui maquinário em padrão internacional com capacidade de produção em escala comercial. Capaz de processar lâminas de silício ou similares, bem como realizar testes elétricos dos dispositivos, afinamento e corte de lâminas (serra ou laser) e encapsulamento de micromódulos (SmartCards). Além de circuitos integrados, a fábrica pode desenvolver e produzir produtos como sensores, sistemas mecânicos em microescala e dispositivos óticos, entre outros. A produção e o desenvolvimento contam com infraestrutura de análise para inspeção e caracterização de todas as etapas produtivas.

Toda a linha de Produção da CEITEC é controlada pelo Sistema Eyelit MES, contando ainda com certificação ISO9001:2015 de Qualidade e certificação Common Criteria para produtos seguros. Além de utilizar essa linha para produção de produtos próprios, a CEITEC oferece ao mercado os seguintes serviços:

• Fabricação de microdispositivos em wafers de silício ou vidro de 150 mm (6 polegadas). Processos:
- Fotolitografia (dimensões até 350 nm)
- Deposição de Filmes (Si3N4, SiO2, Poly Si, Al, Ti, TiN, HSQ, Fotoresiste, SU-8)
- Corrosão úmida ou por Plasma (Si3N4, SiO2, Poly Si, Al, Ti, TiN, HSQ, Fotoresiste, SU-8)
- Implantação de Íons (B, As, P, BF2)
- Limpeza úmida de superfície
- Oxidação e Difusão
- Metrologia (CD-SEM, Reflectometria, Elipsometria)

• Teste de wafers (wafer-level probing)
- Wafer probers de última geração e testadoras com calibração rastreável
- Wafers de 150 mm (6 polegadas), 200 mm (8 polegadas) e 300 mm (12 polegadas) de diâmetro
- Equipe qualificada e experiente para desenvolvimento, implementação e execução de testes de produção
- Capacidade de teste automatizado em alto volume com paralelização
- Mapeamento eletrônico (wafer mapping) de componentes com 100% de rastreabilidade e etapas de confiabilidade
- Extração de parâmetros de simulação

• Afinamento (backgrinding) de wafers
- Wafers de silício com 150 mm (6 polegadas) ou 200 mm (8 polegadas) de diâmetro
- Variação da espessura no wafer melhor que 3 µm
- Variação de espessura entre wafers melhor que 5 µm
- Acabamento de superfície com rugosidade de até 10 Å RMS

• Corte (dicing) de wafers
- Corte mecânico de wafers de diferentes materiais com diâmetros de 150 mm (6 polegadas) ou 200 mm (8 polegadas)
- Corte a laser – "stealth dicing" – de wafers de silício com diâmetros até 300 mm (12 polegadas), com alta densidade de CI's, circuitos pequenos e grande volume

• Inspeção ótica automática
- Wafers de até 300 mm (12 polegadas de diâmetro), cortados ou não
- Detecção e classificação de defeitos com resolução de 1 µm

• Encapsulamento em micromódulos de circuito integrado
- Módulos do tipo "smart chip" (para meios de pagamento – comum ou dual – , SIM card e similares)
- Wafers de até 300 mm (12 polegadas) de diâmetro, marcados a tinta (inked) ou com wafer map
- Operação em três turnos

• Classificação (die sorting)
- Wafers de até 300 mm (12 polegadas) de diâmetro
- Reconstrução (wafer to wafer) em tamanho igual ou distinto do original
- Opção de known good die a partir de wafer map
- Enfitamento de componentes CSP (chip-scale package) a partir de wafers
- Colocação de componentes em porta-amostras (waffle pack) a partir de wafer
- Opção de "flip chip"

• Imageamento e edição de circuitos integrados com Feixe de Íons Focalizado (FIB)
- Inspeção microscópica de alta resolução para análise de falhas em CIs (cross sections / construction analysis)
- Remoção e deposição de materiais com extrema precisão (IEE XeF2 / GIS Mo)
- Modificação de microcircuitos previamente fabricados
- Correção rápida de erros de layout sem o custo e o tempo da encomenda de novas máscaras litográficas